Transphorm Conduction Cooled Power Supplies
" (823216)650 V氮化镓传导冷却电源
Marotta Controls为提升其国防部门电源供应系统性能，采用650 V GaN器件替代传统硅MOSFET。GaN器件在硬开关拓扑结构中显著降低损耗，实现无风扇传导冷却，系统尺寸减小，功率效率大幅提升，频率提高两倍。
用于评估Transphorm的PQFN88和PQFN56封装器件的子卡，采用TO-220插槽
本资料介绍了Transphorm公司（TPH）的TPHDC001 PQFN子卡及其用途。TPHDC001可作为通用载体，用于安装和评估TPH PQFN 8x8和PQFN 5x6 GaN器件。该子卡便于工程师在现有的TO-220 Si应用设计中检验TPH GaN PQFN器件的性能。资料详细描述了电路参数、PCB布局、器件着陆图案以及TPHDC001的BOM清单。此外，还提供了TPH PQFN器件的典型Rdson值和封装类型，以及如何使用TPHDC001进行高电流应用测试的说明。
用于评估Transphorm的PQFN88和PQFN56封装器件的子卡，采用TO-220插槽应用笔记
本资料介绍了Transphorm公司（TPH）的TPHDC001 PQFN子卡及其用途。TPHDC001子卡可作为通用载体，用于安装和评估TPH PQFN 8x8和PQFN 5x6 GaN器件，以快速观察TPH GaN技术在不同基于硅的拓扑结构或应用中的性能。资料详细描述了TPHDC001子卡的设计，包括电路参数、PCB布局和PCB规格，以及如何使用该子卡进行GaN器件的评估。
飞机开关模式电源中的650V氮化镓
航空电子供应商AES推出基于GaN的开关电源，提供至少10%的效率提升，应用于大型客机。PS250X和PS6120两款产品均符合DO-160标准，采用Transphorm的GaN FET，PS250X为被动冷却，PS6120为风扇冷却，效率分别超过92%和91.5%。
电脑游戏电源中的650 V氮化镓
CORSAIR公司于2018年初推出了AX1600i 1.6 kW电源供应器，采用Transphorm的高压GaN FETs，实现更高的效率和功率输出。与AX1500i相比，AX1600i在相同价格下提供更高的效率和功率，同时降低系统成本和封装尺寸，并保持相同的散热性能，提供10年保修。
用于数据中心电源的650 V氮化镓
Bel Power于2017年5月推出了首款基于GaN的AC-DC电源供应器TET3000，该产品是一款3 kW 1U系统，针对数据中心设计，具有80 PLUS钛金效率和欧洲CE标志。TET3000采用Transphorm的Gen II TPH3205WSB 49 mΩ FET，实现了桥式totem-pole功率因数校正（PFC）配置，从而提高了功率密度和效率。Bel Power随后扩展了其基于GaN的产品线，包括1.5 kW、2 kW和2.5 kW不同功率输出的额外三个系统。TET3000在GaN方面的优势包括更宽的DC输入电压范围、2-3%的PFC效率提升、5%的功率密度提升和50%的电感利用率改善。
650 V氮化镓广泛应用于工业电源系统
TDK-Lambda推出PFH500F-28 AC-DC电源模块，采用650V GaN技术，适用于恶劣环境下的工业电源系统。该模块采用无桥式升压拓扑，使用Transphorm的GaN FET，相比前代产品，提供5%效率提升、30%功率密度增加和38%热管理优化。
650 V氮化镓在电动滑板车电池充电
GaN（氮化镓）技术在电动汽车（BEV）充电领域的应用日益受到关注。在电动滑板车充电站GoStations®中，Transphorm的Gen III TH65H050WS FETs被用于优化GaN器件的性能，实现无缝充电和放电，提高功率密度。GaN技术相比硅材料，在AC到DC效率、热性能和系统成本方面具有显著优势。
GaN Power Devices Start to be Designed into Power Sources: Transphorm Details Know-how around Circuit Design and Associated Layouts
案例研究-传导冷却组件
本案例研究涉及一家美国客户与nVent SCHROFF合作，为其航空航天和防务行业项目设计一款传导冷却组件（CCA）。客户要求在CCA上安装超过标准数量的插头，nVent SCHROFF设计工程师利用现有模板和专业知识进行定制设计。项目包括热分析、Solidworks和Floworks测试，以确定所需的散热垫压缩量和推荐最佳传热材料。此外，还设计了定制注射/弹出器和Card-Loks，并制作了3D打印模型供客户检查和测试。最终，成功将客户板卡装入修改后的VPX 48.2 CCA，满足了其散热需求，并进行了热测试。
CPFE1000F Series 720-1000W Conduction Cooled Power Supplies
CPFE1000FI Series 720-1000W Conduction Cooled Power Supplies
CONDUCTION COOLED ASSEMBLIES
VITA 1.6 Conduction Cooled Keying
VITA 1.6 Conduction Cooled Keying
more version(s)
DC-DC Conduction cooled
PST21B AC-DC 600W Conduction cooled
Model 253 High Power, N or SMK Connectors Conduction Cooled
DC-DC Conduction cooled PST14X
TDTTP4000W065AN评估板常见问题解答
本资料主要介绍了Transphorm公司4kW TDTTP4000W065AN评估板的常见问题解答。该评估板采用无桥式宝塔形功率因数校正拓扑和模拟控制，使用Transphorm的SuperGaN™ Gen IV FETs，适用于需要功率因数校正（PFC）的各种应用。资料讨论了该板的主要应用、数字控制与模拟控制的优缺点、与传统模拟控制相比的优势以及性能水平。
用于气相回流焊的PQFN88和PQFN56无铅二级焊接建议应用笔记
本资料主要针对Transphorm的PQFN（无铅功率四列扁平封装）封装的元器件进行焊接工艺指导。内容包括PCB设计、焊盘表面处理、焊膏印刷、回流焊接等关键步骤。资料详细介绍了不同封装类型（如LS、LD、LSG、LDG、JSG）的PCB焊盘尺寸、焊膏印刷模板设计、回流焊接参数等，并提供了相应的示例图和参数表。此外，还强调了静电放电（ESD）和湿度敏感度等级（MSL）等注意事项。
DC-DC模块50V/40A的设计分析
本指南提供了关于设计方面的信息，包括设计原则、技术规范和实施建议。内容涵盖设计流程、组件选择、性能优化等方面，旨在帮助工程师进行高效的设计工作。指南由Transphorm Inc.于2018年发布，最后更新于2019年4月1日。
5x6mm、8x8mm PQFN卷带信息应用笔记
本资料详细介绍了不同型号PQFN封装的元器件的带卷信息，包括产品导向、载带尺寸、卷盘尺寸、包装尺寸、包装信息、内部和外部运输箱信息等。资料涵盖了GEN III 8X8mm、GEN IV 8X8mm和GEN IV 5X6mm三种型号的元器件，提供了详细的尺寸和包装规格。
PQFN氮化镓场效应晶体管并联PCB应用笔记
本文介绍了使用Transphorm的PQFN GaN FETs进行并联应用的设计要点。文章重点讨论了PQFN封装的特点，包括其高侧和低侧FET的并联配置，以及电路参数和PCB布局的重要性。此外，文章还详细说明了如何解决高dv/dt切换速度带来的电磁兼容性问题，并提供了硬开关测试和效率测量的结果。最后，文章通过计算和图表展示了开关损耗的分解和效率曲线。
TDADP-SIL-USBC-65W-RD Power Adapter DESIGN GUIDE
more version(s)
TDADP-TPH-ON-USBC-65W-RD参考设计板设计指南
本资料介绍了TDADP-TPH-ON-USBC-65W-RD参考设计板的65W电源适配器设计，采用Transphorm的SuperGaN® Gen IV技术和OnSemi的NCP1342准谐振反激控制器，实现超过94%的峰值效率和约30W/in3的功率密度。设计支持5V/3A至20V/3.25A的可编程输出电压，适用于智能手机、快速充电、笔记本电脑和物联网设备。资料包含电源规格、原理图、物料清单、变压器文档、印刷电路板布局和性能数据。
12V/1200W High Frequency LLC Converter Design using GaN FETs Design Guide
采用氮化镓场效应晶体管的600W DC-DC LLC设计指南
本文介绍了使用氮化镓场效应晶体管（GaN FETs）设计600W DC-DC LLC转换器的指南。文章首先讨论了全球变暖和ICT行业对气候变化的影响，随后详细描述了LLC转换器的拓扑结构、工作原理和设计参数。文章重点介绍了变压器匝比、LLC转换器增益计算、死区时间计算、变压器和共振电感器设计等内容。此外，还介绍了电路设计和实验结果，包括效率测量和轻载下的爆裂模式操作。
用于太阳能逆变器的2.3kW高效2相CRM升压转换器设计指南
本设计指南简要介绍了2.3kW高效双相CRM升压转换器，适用于独立DC-DC转换器或光伏逆变器系统中的MPPT升压阶段。该设计采用2相CRM模式，利用UCC28063A控制器，CRM操作无需反向恢复二极管，降低成本。采用低成本Si升压二极管，CRM操作减少输入和输出电容纹波电流。使用Transphorm GaN FET实现高频操作，提高效率。适用于光伏逆变器、燃料电池等应用，输出电压380V，输入电压范围100V至600V，全负载效率超过99%，轻载效率提高。
TDTTP2500B066B_0V1：2.5kW无桥图腾柱PFC评估板
本指南介绍了TDTTP2500B066B 2.5kW无桥式 Totem-pole 功率因数校正（PFC）评估板。该评估板采用Transphorm的GaN FET，实现高效率的单相AC-DC转换。板载TP65H050G4BS GaN FET桥和低电阻MOSFET，优化性能和效率。评估板适用于演示GaN FET技术，并提供了详细的电路描述、输入/输出规格和设计文件。
TDTTP4000W065AN_0V1：4kW模拟无桥图腾柱PFC评估板用户指南
本指南介绍了TDTTP4000W065AN_0V1 4kW模拟桥式无桥塔形功率因数校正（PFC）评估板。该板采用Transphorm的GaN FET，实现高效率的单相AC-DC转换。电路设计采用桥式塔形拓扑，使用GaN FET和低电阻MOSFET，提高了性能和效率。评估板适用于验证GaN FET技术，并提供了详细的设计文件和电路图。
TDTTP2500B066B：2.5kW数字无桥图腾柱PFC评估板
本资料为TDTTP2500B066B 2.5kW数字桥式无桥PFC评估板的固件指南。内容包括固件下载、修改、构建和加载步骤。指南详细介绍了所需工具，如MPLAB X IDE、MPLAB REAL ICE ICD4、RJ-11 to ICSP适配器等。此外，还提供了代码修改方法，包括输入电压、输出电压和电流限制的调整。最后，指南说明了如何将修改后的代码加载到Microchip PIM上，并进行验证。
TDINV3500P100 inverter Firmware Guide
DTTP2500P100 2.5kW无桥Totem-PolePFC评估板固件指南
本资料为TDTTP2500P100 2.5kW桥式无源 Totem-pole PFC评估板的固件指南，主要内容包括固件代码的获取、安装和调试。资料详细介绍了如何使用Code Composer Studio和Control Suite进行固件代码的加载、构建和运行，并提供了相关的步骤和注意事项。此外，资料还提到了基于德州仪器（TI）开源设计的TDTTP2500P100固件，以及如何获取完整的TI套件和固件文档。
TDINV1000P100变频器固件指南
本指南提供了TDINV1000P100固件更新的详细步骤。包括下载Code Composer Studio、创建工作空间、下载固件、导入项目、修改默认设置（如开关频率、线频率、PWM调制指数和过流保护限制）、构建项目、验证错误、连接控制卡和选择调试选项。
TDINV3000W050变频器固件指南
本指南提供了TDINV3000W050元器件的固件更新步骤。包括下载Code Composer Studio、创建工作空间、下载固件、导入项目、修改默认设置（如开关频率、线频率、PWM调制指数和过流保护限值）、构建项目、验证无误后编程控制卡。
TDTTP4000W066B 4kW无桥Totem评估板固件指南
本资料为TDTTP4000W066B 4kW桥式无源 Totem-pole PFC评估板的固件指南，主要内容包括固件代码的获取、安装和调试。资料详细介绍了如何使用Code Composer Studio和Control Suite进行固件项目的加载、构建和运行，并提供了相关的步骤和注意事项。
TDTTP4000W066C：4kW数字无桥图腾柱PFC评估板固件指南
本资料为TDTTP4000W066C 4kW数字桥式无桥PFC评估板的固件指南。内容包括设计文件、源代码获取方式，以及如何使用MPLAB X IDE、MPLAB REAL ICE ICD4等工具进行固件修改、构建和加载。指南详细介绍了如何编辑输入电压、输出电压和电流限制等参数，并提供了MPLAB X IDE的安装和配置步骤。
Use in Transphorm GaN FETs evaluation boards
Our PSG series of conductive polymer aluminum solid capacitors are used in the reference designs of evaluation boards for 12V/1200W high-frequency LLC converters produced by Transphorm.
TDHB-65H070L-DC半桥子卡功率级原理图
资料内容为电子元器件行业相关文件，具体为Eagle Transphorm Projects中的一个项目文件，名为TDHB-65H070L-DC_0v1，包含电路图（Sheet: 1/1）。文件日期为2019年4月2日，由用户在C:\Eagle_TransphormProjects\eval_TDHB-65H070L\TDHB-65H070L-DC_0v1\TDBH-65H070L-DC_0v1.sch路径下创建。
TDADP-SIL-USBC-65W-RD 65 W USB-C PD电源适配器（开放框架）原理图
本资料为一份关于R19 65W元器件的技术文档。文档中包含元器件的详细信息，如尺寸、客户编号、保密等级等。此外，文档还注明了所有电阻均为1%公差，厚度为厚膜电阻，除非特别说明。文档由Silanna Semiconductor North America于2021年5月5日绘制，版本号为*。
TDINV1000P100-KIT 1kW Inverter GaN Evaluation Platform schematic
TDTTP2500B066B_0V1原理图
资料内容为元器件行业相关技术文档，包含元器件的电气连接图、参数说明等，涉及元器件的电气特性、应用场景和连接方式等。
TDTTP2500P100-KIT 2.5kW Totem-pole PFC GaN Evaluation Platform schematic
TDHBG1200DC100-KIT 1.2 kW半桥同步降压或升压评估平台原理图
该资料提供了一种Buck In / Boost Out电源转换电路的设计方案，包括电路元件的布局和参数配置。电路包含多个电容、电阻、二极管和集成电路，如U1、U4、U5等。设计强调了电源和模拟地平面的单点连接，以确保电路的稳定性和效率。
TDINV3500P100-KIT 3.5kW Inverter GaN Evaluation Platform schematic
TDTTP4000W066B-KIT 4kW Totem-pole PFC GaN Evaluation Platform schematic
TDTTP4000W066C 4kW数字无桥图腾柱PFC评估板用户指南
本指南介绍了TDTTP4000W066C 4kW无桥式宝塔形功率因数校正（PFC）评估板。该板采用Transphorm的Gen IV（SUPERGaNTM）GaN FET桥，实现高效率的单相AC-DC转换。使用GaN FET在电路的快速切换腿和低电阻MOSFET在慢速切换腿上，提高了性能和效率。评估板旨在验证Transphorm的SuperGaN FET技术，并用于演示目的。
TDTTP4000W065AN_0V1 4kW模拟无桥评估板用户指南
本指南介绍了TDTTP4000W065AN_0V1 4kW模拟桥式无桥塔形功率因数校正（PFC）评估板。该板采用Transphorm GaN FETs和低电阻MOSFETs，实现高效率的单相AC-DC转换。板载电路描述了桥式无桥塔形PFC的设计，包括输入/输出规格、电路描述、设计细节和操作指南。评估板旨在验证GaN FET技术，并用于演示目的。
TDHBG25000P100-KIT评估板快速入门
本资料为Transphorm公司TDHBG2500P100半桥同步降压或升压转换器评估平台的快速入门指南。指南详细介绍了设备所需组件、连接步骤、设置跳线、连接探头等操作，并提供了典型效率曲线和警告信息。资料旨在帮助用户快速上手并评估该转换器的性能。
TDHBG2500P100：2.5kW半桥评估板用户指南
TDHBG2500P100半桥评估板提供了一种简单的降压或升压转换器，用于研究使用Transphorm的650V GaN FET的开关特性和效率。该板支持同步整流，可配置为单逻辑输入或高/低输入。输入/输出电压可达400Vdc，功率输出可达2.5kW。板载电感器适用于100kHz高效运行，但也可使用其他电感和频率。该板仅用于评估目的。资料详细介绍了电路描述、使用方法、配置、操作模式、死区时间控制、设计细节和效率测量。
TDHBG1200DC100 1.2 kW半桥评估板用户指南
TDHBG1200DC100半桥评估板介绍：该评估板用于研究650V GaN FET在标准8x8 PQFN封装中的开关特性和效率。板载元件包括TP65H070LDG和TP65H070LSG GaN FET，支持升压和降压模式，最高输出功率1.2kW。板载跳线允许使用单个逻辑输入或高/低输入。板可配置为同步整流，并支持高达400Vdc的高压输入/输出。
TDHBG1200DC100-KIT评估板快速入门指南
本资料为TDHBG1200DC100-KIT评估平台的快速启动指南，介绍了该平台的配置、使用步骤和注意事项。平台支持1.2kW半桥同步降压或升压，可配置为200V至400V升压、400V至200V降压，频率为100kHz。指南详细说明了连接板、设置跳线、连接探头等步骤，并提供了相关警告和注意事项。
TDINV1000P100 1.0kW逆变器评估板用户指南
TDINV1000P100 1.0kW逆变器评估板是一款用于评估GaN功率MOSFET在各种逆变器应用中性能优势的套件，如太阳能和不间断电源（UPS）。该套件提供了一款单相逆变器的核心功能，采用全桥配置，工作频率在100kHz或以上。逆变器核心为四个TPH3206PSB 180mΩ GaN FET，与板上的门驱动电路紧密耦合，包括灵活的微控制器选项和方便的PC通信连接。开关模式电源信号经过滤波，提供纯净的正弦波输出。该套件还包括控制卡、电源和完整的设计文件。
more version(s)
TDINV1O0OP100-KIT 1kw inverter Evaluation board Quick Start Guide
TDTTP2500P100_Ov1 2.5kw Evaluation board Quick Start Guide
高压氮化镓开关可靠性：基于现有JEDEC、AEC和ZVEI标准的FIT率和PPM可靠性计算
本文探讨了GaN（氮化镓）器件在高压关断状态下的可靠性，基于现有的JEDEC、AEC和ZVEI标准，计算了FIT率和PPM可靠性。文章详细介绍了Transphorm公司GaN产品的可靠性测试方法，包括高温反向偏置测试、加速寿命测试等，并分析了电压和温度加速因子对器件失效的影响。此外，文章还讨论了如何利用这些数据来补充资格测试结果，以确保产品满足商业和汽车应用中的可靠性要求。
有引脚封装氮化镓高电子迁移率晶体管驱动电路的研究
本文研究了基于GaN HEMT的TO封装（TO-220）半桥功率电路的性能，并讨论了GaN器件驱动器的设计。通过仿真和实验结果验证了驱动电路的有效性。主要内容包括：GaN HEMT的驱动电路设计，包括门极驱动电路和半桥电路；分析了GaN HEMT的开关特性，包括开关速度、开关损耗和电压振荡等；讨论了使用铁氧体磁珠来抑制电压振荡和降低开关损耗的方法；最后，通过实验验证了驱动电路的性能。
SIPMOS® Power Transistor
氮化镓FET产品组合
本资料主要介绍了GaN（氮化镓）功率器件的产品组合和应用优势。资料中列举了不同型号的GaN器件，包括其关键参数如Vds、Rds(on)eff、Id等，并展示了其封装类型和变体。此外，资料还强调了GaN在提高系统效率、减小尺寸和重量、降低系统成本等方面的优势，并介绍了Transphorm公司在GaN领域的领先地位和产品路线图。
防止氮化镓器件VHF振荡
本文探讨了氮化镓（GaN）器件在高频开关应用中防止寄生振荡的问题。文章详细分析了寄生振荡的产生原因，包括寄生LC网络、正反馈增益等，并针对GaN器件的特性，如快速dv/dt和di/dt、高跨导等，提出了防止振荡的方法。文章还介绍了优化PCB布局、使用铁氧体 bead、添加RC snubber等具体措施，并通过实验验证了这些方法的有效性。
BENEQ Transform® 300 ALD cluster tool
Q101鉴定报告TP65H035G4WSQA
本报告详细记录了元器件TP65H035G4WSQA的资格认证过程。报告涵盖了产品组装、测试流程、可靠性测试、电学测试参数以及机械测试结果。所有测试均符合相关标准，包括ESD测试、机械测试和电学测试，确保产品满足规定的性能和可靠性要求。
TP65H300G4LSG常关装置产品鉴定报告
本报告为TP65H300G4LSG元器件的合格报告，涵盖产品合格、测试流程、可靠性测试和电气参数等内容。报告详细记录了产品通过的各项测试，包括ESD测试、机械测试、可靠性测试和电气参数测试，确保产品符合相关标准。
JUMO WTRANS P压力变送器英国符合性声明
JUMO GmbH & Co. KG宣布其JUMO Wtrans p压力变送器符合英国相关法规要求。产品采用无线数据传输，符合多项标准，包括EN 300 220-1、EN 300 220-2、EN 61326-1、EN 61326-2-3、EN 61010-1和EN 62479。此外，产品还符合《限制在电气和电子设备中使用某些有害物质法规2012》和《压力设备（安全）法规2016》。证书由JUMO GmbH & Co. KG于2022年5月10日签发。
压力变送器合格证书（EHEDG-C2000058）
JUMO GmbH & Co. KG生产的多种压力变送器，包括JUMO TAROS S46 H、JUMO MIDAS SI、JUMO DELOS SI、JUMO dTRANS p02、JUMO dTRANS p20、JUMO dTRANS p20 Exd、JUMO dTRANS p30、JUMO dTRANS p31、JUMO dTRANS p33、JUMO dTRANS p35、JUMO Wtrans p型号，以及与PEKA过程适配器配合使用的产品，已通过EHEDG的卫生设备设计认证，符合EHEDG的卫生设计标准。证书编号为EHEDG-C2000058，有效期为2020年11月6日至2022年12月31日。
JUMO WTRANS P无线工业压力变送器欧盟符合性声明
本资料为JUMO GmbH & Co. KG公司关于其产品JUMO Wtrans p的欧盟符合性声明。声明中详细列出了产品符合的欧盟指令，包括RED 2014/53/EU、RoHS 2011/65/EU和PED 2014/68/EU，以及相应的标准和规范版本。此外，还提供了产品开发和应用的相关标准和规范，以及法律效力的签字和日期。
JUMO DTRANS 02变送器和控制器英国符合性声明
JUMO GmbH & Co. KG宣布其JUMO dTRANS 02溶解氧传感器和控制器符合英国电磁兼容性法规、电气设备（安全）法规以及限制某些有害物质在电气和电子设备中使用的规定。该产品符合EN 61326-1、EN 61326-2-3、EN 61010-1和VDK Umweltrelevante Aspekte标准。证书编号为UK 149，有效期为2022年。
TDTTP2500B066B-KIT（TDHB-65H050BS-DC）物料清单（BOM）
这份资料是TDTTP2500B066B-KIT主板的原材料清单（BOM），详细列出了主板上各个元器件的标识符、数量、值、描述/封装以及制造商零件编号。清单涵盖了电阻、电容、二极管、晶体管、集成电路、连接器等多种类型的元器件，并提供了制造商的零件编号，便于采购和库存管理。
TDADP-USBC-65W-KIT Bill of Materials (BOM)
工业电源
本资料介绍了DeltaPSU提供的工业电源供应产品系列，包括Force-GT、LYTE II、CliQ II/III、CliQ M/VA、CHROME/CHROME II、SYNC等系列，涵盖不同功率范围和尺寸，适用于各种工业应用。此外，还介绍了DIN轨电源、面板安装电源、开放框架电源、DIN轨模块和适配器等产品。资料详细列出了各系列产品的型号、功率、输入输出电压、尺寸等参数，并提供了全球运营和服务信息。
Electronic Mall
Brand：PN Junction
Category：GaN Enhancement Mode Power Transistor
Unit Price：
In Stock： 0
Brand：ALKAIDSEMI
Category：Insulated Gate Bipolar Transistor
Unit Price：$ 4.2750
In Stock： 120
Brand：ALKAIDSEMI
Category：Insulated Gate Bipolar Transistor
Unit Price：
In Stock： 120
Brand：ALKAIDSEMI
Category：Insulated Gate Bipolar Transistor
Unit Price：$ 6.3400
In Stock： 0
Brand：ALKAIDSEMI
Category：Insulated Gate Bipolar Transistor
Unit Price：
In Stock： 0
Integrated Circuits
Discrete Components
Connectors & Structural Components
Assembly UnitModules & Accessories
Power Supplies & Power Modules
Electronic Materials
Instrumentation & Test Kit
Electrical Tools & Materials
Mechatronics
Processing & Customization
